近期，IPS愛譜斯在華中地區(qū)高效安裝了一套200V高電壓電化學(xué)工作站，客戶用脈沖高電壓制備、改性材料。

      IPS愛譜斯的100V、200V、400V高電壓電化學(xué)工作站配備了一個(gè)分析儀，帶有兩個(gè)正弦波發(fā)生器，每個(gè)發(fā)生器都可以施加 1μHz 至 10 MHz 的頻率，每個(gè)通道的數(shù)據(jù)采集率為 100 MHz@分辨率 14 Bit。 

    IPS愛譜斯的100V、200V、400V高電壓電化學(xué)工作站主要應(yīng)用于：

1.       對(duì)金屬板（例如鋁）進(jìn)行陽(yáng)極氧化

    此功能通常要求設(shè)備提供更高的電壓和更高的電流。我們的 PGU系列通常可提供 200 V@2A，也可以定制為 200 V@4A。將程序設(shè)置為從 OCP 開始到約 100V 的斜率施加電壓，然后在長(zhǎng)達(dá) 30 分鐘的時(shí)間內(nèi)施加恒定值（斜坡結(jié)束）。 在該保持時(shí)間內(nèi)形成陽(yáng)極氧化層。 陽(yáng)極氧化工藝的典型過程是重復(fù)，在重復(fù)過程中，電流通常比第一次低得多， 表明該過程已正常進(jìn)行。

2.       制備納米管

    該過程類似于陽(yáng)極氧化過程，但是納米管制備僅需要處理一次。

3.       交流阻抗 EIS

     如果將高壓設(shè)備用于EIS，典型的應(yīng)用是 AC 交流腐蝕研究。 客戶應(yīng)該知道，高壓設(shè)備的 EIS 功能與普通電化學(xué)工作站的 EIS 測(cè)量無法并行比較。 在高壓設(shè)備上，交流幅度必須更高，幾毫伏的振幅（±10mV）幾乎是高壓設(shè)備的基本噪聲。 因此，使用高壓設(shè)備 EIS 的典型值為±100mV，如果測(cè)量對(duì)樣品破壞不大，至少還應(yīng)該再高。如果考慮 AC 交流腐蝕，振幅可以設(shè)為±100V。 但是客戶應(yīng)該知道，功率越大，速度越低。 在±100V 時(shí)，我們只能達(dá)到幾百 Hz 得頻率（最大約 300Hz）；在較低的振幅下，我們可以實(shí)現(xiàn)約 20 kHz 的 EIS 測(cè)試。

高壓設(shè)備配有兩個(gè)正弦波發(fā)生器。為了研究 AC 交流電腐蝕，客戶可以在一個(gè)通道上施加特定頻率的 AC 交流擾動(dòng)（例如 50Hz，或 60Hz 或 16.666Hz 或其它需求頻率）。在另一個(gè)通道上，客戶可以使用固定頻率測(cè)試，也可以使用從 20 kHz 到 0.001Hz 的區(qū)域測(cè)試。自帶的 EcmWin 軟件可以分離不同頻率（要求第一通道和第二通道的頻率要不一樣，甚至最好不要接近）。因此高壓設(shè)備可以像普通電化學(xué)工作站一樣進(jìn)行 EIS 測(cè)試。

PGU系列除了自動(dòng)模式外，還可以使用手動(dòng)模式。因此，客戶可以在一個(gè)通道上施加恒定頻率，而在另一通道上檢測(cè)第二頻率。通過不同頻率去檢測(cè)什么時(shí)候發(fā)生反應(yīng)。

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