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PGU-100 V、PGU-200 V和PGU-400 V是IPS愛譜斯的高電壓電化學(xué)工作站系列。對(duì)于一些特殊的客戶應(yīng)用(例如,納米管和陽(yáng)極氧化、有機(jī)體系的電合成、混凝土體系的腐蝕測(cè)試等),都需要高于±10V的高槽壓和高極化電壓的電化學(xué)工作站。為此,IPS愛譜斯設(shè)計(jì)開發(fā)了PGU-100 V高電壓電化學(xué)工作站(±120V槽壓、±100V極化電壓、±2A電流)、PGU-200 V高電壓電化學(xué)工作站(±220V槽壓、±200V極化電壓、±2A電流)和PGU-400 V高電壓電化學(xué)工作站(±410V槽壓、±400V極化電壓、±2A電流)。如果需要更高的電流,請(qǐng)聯(lián)系我們IPS愛譜斯。
高電壓電化學(xué)工作站的主要應(yīng)用:
1. 對(duì)金屬板(例如鋁)進(jìn)行陽(yáng)極氧化
此功能通常要求設(shè)備提供更高的電壓和更高的電流。通常,我們的 PGU-可提供 200 V@2A,也可以定制為 200 V@4A。將程序設(shè)置為從 OCP 開始到約 100V 的斜率施加電壓,然后在長(zhǎng)達(dá) 30 分鐘的時(shí)間內(nèi)施加恒定值(斜坡結(jié)束)。 在該保持時(shí)間內(nèi)形成陽(yáng)極氧化層。 陽(yáng)極氧化工藝的典型過程是重復(fù),在重復(fù)過程中,電流通常比第一次低得多, 表明該過程已正常進(jìn)行。
2. 制備納米管
該過程類似于陽(yáng)極氧化過程,但是納米管制備僅需要處理一次。
3. 交流阻抗 EIS
如果將高壓設(shè)備用于 EIS,典型的應(yīng)用是 AC 交流腐蝕研究。 客戶應(yīng)該知道,高壓設(shè)備的 EIS 功能與普通電化學(xué)工作站的 EIS 測(cè)量無法并行比較。 在高壓設(shè)備上,交流幅度必須更高,幾毫伏的振幅(±10mV)幾乎是高壓設(shè)備的基本噪聲。 因此,使用高壓設(shè)備 EIS 的典型值為±100mV,如果測(cè)量對(duì)樣品破壞不大,至少還應(yīng)該再高。如果考慮 AC 交流腐蝕,振幅可以設(shè)為±100V。 但是客戶應(yīng)該知道,功率越大,速度越低。 在
±100V 時(shí),我們只能達(dá)到幾百 Hz 得頻率(最大約 300Hz);在較低的振幅下,我們可以實(shí)現(xiàn)約 20 kHz 的 EIS 測(cè)試。
高壓設(shè)備配有兩個(gè)正弦波發(fā)生器。為了研究 AC 交流電腐蝕,客戶可以在一個(gè)通道上施加特定頻率的 AC 交流擾動(dòng)(例如 50Hz,或 60Hz 或 16.666Hz 或其它需求頻率)。在另一個(gè)通道上,客戶可以使用固定頻率測(cè)試,也可以使用從 20 kHz 到 0.001Hz 的區(qū)域測(cè)試。自帶的 EcmWin 軟件可以分離不同頻率(要求第一通道和第二通道的頻率要不一樣,甚至最好不要接近)。因此高壓設(shè)備可以像普通電化學(xué)工作站一樣進(jìn)行 EIS 測(cè)試。
除了自動(dòng)模式外,還可以使用手動(dòng)模式。因此,客戶可以在一個(gè)通道上施加恒定頻率,而在另一通道上檢測(cè)第二頻率。通過不同頻率去檢測(cè)什么時(shí)候發(fā)生反應(yīng)。
PGU-200 V和PGU-400 V高電壓電化學(xué)工作站既可以手動(dòng)控制也可以通過EcvWin軟件控制。同時(shí)高電壓電化學(xué)工作站都會(huì)配備一個(gè)安全箱,它不僅是一個(gè)法拉第屏蔽箱,也是一個(gè)安全箱。測(cè)試正在運(yùn)行時(shí),如果箱門被打開,它會(huì)觸發(fā)自帶的保護(hù)電路,以斷開對(duì)電極回路,禁止輸出電壓。此外當(dāng)實(shí)際電流超過所選電流檔位的15%時(shí),此安全箱也會(huì)自動(dòng)斷開電壓,形成保護(hù)。
高電壓電化學(xué)工作站工作站PGU-200V和PGU-400 V高電壓電化學(xué)工作站的電流范圍高達(dá)±2A,同時(shí)采用了GND電阻器和帶工作感應(yīng)的參比電極引線,可以實(shí)現(xiàn)1μA到2A(8檔位)的電流切換。此外PGU-200V和PGU-400 V高電壓電化學(xué)工作站還配置了兩個(gè)內(nèi)置的電位計(jì)和兩個(gè)BNC連接器,用于設(shè)置內(nèi)部和/或外部電源的電位,此模式特別適合于手動(dòng)操作。
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